レーザーアブレーション シリコン加工において、急速に好まれる手法になりつつあります。これは、その高い精度と柔軟性によるものです。この記事では、その原理、主要なパラメータ、そしてエレクトロニクス、ヘルスケア、製造業といった業界における用途拡大について解説します。
シリコンレーザーアブレーションとは何ですか?
シリコンレーザーアブレーションは、高エネルギーレーザービームを用いてシリコンの表面を精密に除去または改質する高度な技術です。レーザーのエネルギー、波長、パルスを調整することで、ミクロンまたはナノメートルレベルの穴、溝、パターンなどの微細構造を形成することができます。
この工程は、シリコンを溶かしたり変形させたりすることなく、人間の髪の毛よりもはるかに細かいディテールを彫刻します。スマートウォッチ、医療用チップ、電気自動車のバッテリーシールなどのハイテク製品に使用されています。
シリコンレーザーアブレーションの原理は何ですか?
高エネルギーレーザービームがシリコン表面に当たると、シリコンはレーザーエネルギーを吸収し、急速に熱に変換します。局所的な温度が蒸発または分解の閾値を超えると、シリコンは急速にガスまたは微粒子に変化し、除去されます。
特定のレーザー波長では光化学反応も起こり、シリコンの分子鎖を直接分解して分解を促進することもあります。
レーザーの出力、パルス、走査経路を正確に制御することで、シリコン表面からミクロン、さらにはナノメートルの精度で材料を除去し、必要なパターン、マーキング、または微細構造を作成することができます。

シリコンレーザーアブレーションにおける重要なパラメータは何ですか?
パラメータ | 標準範囲/オプション | 意味と影響 |
レーザー波長 | 355nm(紫外線)/ 10.6μm(CO₂) | 材料の吸収と加工精度を決定します。UVは微細構造に適しており、CO₂は高速な粗加工に適しています。 |
レーザーパワー | 10~200W | 出力が高いほどアブレーションの深さは深くなりますが、150W を超える出力では炭化が起こる可能性があります。 |
パルス周波数 | 1~200kHz | 高周波 (>50kHz) では表面品質が向上し、低周波 (<20kHz) では単一パルスのエネルギーが増大し、深穴加工に適しています。 |
スキャン速度 | 100~2000mm/秒 | 速度が速いほど熱の影響は減りますが、電力と一致する必要があります (電力が高い → 速度が速い)。 |
フォーカスオフセット | ±0.1mm | 正のオフセット(スポット拡大)はエネルギー密度を低下させます。負のオフセット(スポット圧縮)は貫通力を高めます。 |
ガス環境 | 空気 / 窒素 / アルゴン | 窒素は酸化と炭化を抑え、アルゴンはプラズマシールド効果を低減し、エネルギー効率を 20% 向上させます。 |
繰り返し回数 | 1~10回 | 複数回のスキャンにより深さを制御できます (スキャンごとに 20 ~ 50 μm を追加) が、側壁が溶けないように注意する必要があります。 |
冷却方法 | 自然冷却 / 水冷基板 / 液体窒素スプレー | 液体窒素冷却 (-196°C) により、熱影響領域 (HAZ) を 50μm から 10μm に低減できますが、30% のコストが追加されます。 |
レーザー波長の選択
医療グレードシリコン355nmのUVレーザーの使用をお勧めします。高い光子エネルギー(3.5eV)によりSi-O結合を直接切断できるため、熱ダメージのない加工(Ra < 1μm)が可能です。これは、精度が極めて重要な医療グレードのシリコーンに特に有効です。
工業用シリコン10.6μm CO₂レーザーは、その熱効果(最大5cm²/分の効率)により、より高速なアブレーションに適しています。ただし、アブレーションプロセス中に形成される炭化層を除去するための後処理が必要です。この波長は、精度よりも速度が優先される産業用途で一般的に使用されます。
パワースピードコーディネーション
黄金のフォーミュラ: アブレーション深度 ≈ (電力 × √周波数) / 速度
例: 100Wレーザー、50kHz、500mm/sの場合、アブレーション深度は約80μmになります。
安全閾値: 電力密度が 10⁷ W/cm² を超えると材料の破壊を引き起こす可能性があります。
パルス周波数とエッジ品質
高周波(>100kHz)パルス間隔は10μs未満です。これにより熱蓄積が低減され、エッジ粗さがRa < 2μm以下に抑えられるバイオミメティックチャネルの加工に最適です。
低周波(<20kHz)単一パルスエネルギーは1mJ以上で、バッテリーシールスロットの加工に適しています。この周波数により、±5μmの許容誤差で均一な深さが確保され、より深く複雑な切断でも信頼性の高い結果が得られます。
ガス環境の最適化
窒素パージ: 流量15〜20L/分で炭素残留物が60%まで減少し、食品グレードのシリコーン加工に適しています。
アルゴン保護: 導電性シリコンを加工する際、アルゴンは金属フィラーの酸化を防止します(抵抗変化率 < 3%)。

冷却戦略の比較
冷却方法 | 熱衝撃部(HAZ) | コスト増加 | 応用 |
自然冷却 | 50~100μm | 0% | 低精度の装飾パターン |
水冷基板 | 30~50μm | 15% | 中精度産業部品 |
液体窒素スプレー | 10~20μm | 30% | 医療機器の微細構造 |
典型的なパラメータの組み合わせ例
医療用マイクロ流体チップ
- パラメータ: 355nm、80W、150kHz、800mm/s、窒素、3スキャン、液体窒素冷却
- 結果幅50μm×深さ150μmのチャネルが89°を超える側壁垂直度で製造され、炭素残留物は残りません。
新エネルギー車用シーリングパッド
- パラメータ: 10.6μm、150W、20kHz、300mm/s、空気、1スキャン、自然冷却
- 結果:幅200μm×深さ500μmの台形溝を1分間に12個の加工速度でエッチングします。
フレキシブルエレクトロニクス絶縁溝
- パラメータ: 355nm、50W、100kHz、1200mm/s、アルゴン、5スキャン、水冷基板
- 結果: 20kV/mm以上の絶縁耐力を持つ導電性シリコンに、幅80μmの溝をエッチングします。

シリコンのレーザーアブレーションプロセスに影響を与える他の要因は何ですか?
レーザー処理パラメータに加えて、シリコンの固有の特性もレーザーアブレーションの最終結果に影響を及ぼす上で重要な役割を果たします。
要素 | レーザーアブレーションへの影響 |
シリコンの種類と配合 | レーザー吸収、熱伝導率、分解特性 |
硬度 | ひび割れ、剥がれ、溶解、変形 |
表面状態 | 不均一なアブレーションと不均一なエネルギー分布 |
まず、シリコーンの種類とその配合が主要な要因です。シリコーンの種類によって、分子構造と架橋密度が異なります。これらの違いは、特定のレーザー波長の吸収能力、熱伝導率、高温での分解特性に直接影響します。さらに、充填剤や顔料は、材料の光吸収率、熱容量、熱伝導率を大きく変化させる可能性があります。これは、レーザーエネルギー吸収効率、アブレーション閾値、そして材料除去率にも影響を与えます。
次に、シリコンの硬度もレーザーアブレーションプロセスに影響を与えます。硬いシリコンはレーザー照射下で脆性破壊や剥離を起こしやすく、柔らかいシリコンは溶融や変形を起こしやすくなります。また、硬度はアブレーション生成物の除去効率と最終的な表面仕上げにも影響を与えます。
最後に、シリコーンの表面状態、例えば清浄度や初期の粗さも見逃してはいけません。表面に油や埃などの汚染物質が付着すると、レーザーエネルギーが吸収または散乱し、シリコーン表面へのエネルギー伝達効率が低下し、アブレーションの均一性や精度が低下する可能性があります。また、粗い表面はレーザーエネルギーの分布を不均一にし、アブレーションの均一性と精度に影響を与える可能性があります。
したがって、シリコーンレーザーアブレーションを実施する前に、シリコーンの固有の特性を十分に理解し、評価することが不可欠です。これらの特性に基づいてレーザープロセスパラメータを最適化することは、望ましいアブレーション結果を得るための重要なステップです。

シリコンレーザーアブレーションの用途は何ですか?
シリコンレーザーアブレーションは、複数の分野で大きな可能性を示しています。
分野 | アプリケーション |
微細加工および微細構造製造 | 3D流体回路、細胞培養チップ、マイクロレンズ、フレキシブルエレクトロニクス、センサー、滑り止め表面 |
表面改質 | 光学デバイス、SiO2膜 |
バイオメディカルアプリケーション | 光増感剤、抗菌剤、医療機器、カテーテル |
産業用途 | シリコン型、炭素繊維強化シリコン複合材 |
微細加工と微細構造製造
レーザーアブレーションは、直径1µmの貫通孔のような微細な穴をあけるために使用されます。3D流体回路や細胞培養チップなどの用途に最適です。さらに、157nm F2レーザーアブレーションは、シリコン表面にSiO2の微細突起を形成し、それを10~170µmの焦点距離を持つマイクロレンズに加工することができます。レーザーアブレーションは、フレキシブルエレクトロニクス、センサー、滑り止め表面などの表面パターニングにも広く使用されています。
表面改質
193nmのArFレーザーは、シリコン表面を改質してシリカのような構造を形成し、白色発光を実現します。これは光学デバイスに有用です。さらに、高エネルギーアブレーションと酸素雰囲気を組み合わせることで、基板上に透明なSiO2膜を堆積し、95%の透過率を実現します。
バイオメディカルアプリケーション
フェムト秒レーザーは水中でシリコーンをアブレーションし、汚染のないシリコーンナノ粒子を生成することができます。これらのナノ粒子は光増感剤や抗菌剤として使用できます。医療機器の製造においては、レーザーアブレーションによってカテーテル表面に微細構造を形成し、生体適合性や薬剤放出性能を向上させることができます。
産業用途
レーザーアブレーションは、非接触かつ化学薬品を使用しない方法でシリコン型から残留物を除去するために使用されます。また、炭素繊維強化シリコン複合材料の精密切断や表面処理など、複合材料の加工にも使用されます。

シリコンレーザーアブレーションが従来の彫刻方法よりも優れている理由は何ですか?
シリコンレーザーアブレーションは、従来の彫刻方法に比べていくつかの利点があります。非接触であるため、材料の変形や損傷を防ぎ、特に柔らかいシリコンに適しています。レーザーの高精度は、従来の機械彫刻を凌駕するミクロンレベルの加工を可能にします。さらに、レーザーアブレーションは、金型を交換することなくソフトウェアで複雑なパターンを簡単にカスタマイズできるため、優れた柔軟性も備えています。また、表面改質も可能で、シリコンに新たな特性を付与できます。さらに、自動化も容易であるため、長期的にはメンテナンスコストの削減にもつながります。これらの利点により、レーザーアブレーションはシリコン加工においてより強力で将来性のある方法となっています。
結論
シリコーンレーザーアブレーションは、従来の方法に比べて多くの利点をもたらします。精度、柔軟性、そしてシリコーン表面を損傷することなく改質できるという点です。技術の進歩に伴い、さらに多くの産業への活用が期待されています。この革新的な技術を取り入れることで、シリコーン加工の新たな可能性を切り開きましょう。
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